SiC模块封装规划
SiC芯片模块Package路标规划：
·灌封SiC模块封装工艺已齐备，可根据产品定义进行快速灵活开发
SiC SBD芯片+灌封模块：Flow0等模块已海量量产
小尺寸SiC MOS芯片（＜5X5mm）+灌封模块：62mm、Easy1B已批量量产
大尺寸SiC MOS芯片（＞5X5mm）+灌封模块：HPD已完成封装平台开发且具备量产能力
大尺寸SiC MOS芯片（＜5X5mm）+小型塑封模块：封装平台24Q4启动开发，预计25年底具备量产能力
大尺寸SiC MOS芯片（＞5X5mm）+大型塑封模块：规划中，预计24-25年完成技术开发
大尺寸SiC MOS芯片（＞5X5mm）+大型塑封模块：满足更高功率密度，预计25-26年完成技术开发
定制化模块，可按客户需求进行联合开发
SiC芯片模块及封装技术路标
SiC芯片模块封装技术路标规划：
·先进焊接&互连工艺、散热设计等封装技术开发
成熟量产特色技术
低压力焊料焊接
粗铝线键合
无压银烧结
N代可批量量产技术
有压银烧结
Cu Pin-fin基板焊接
端子&Pin针超声焊接
Press-fit专利
自研金刚石铜Spacer
N+0.5已开发中技术（24年实现可量产）：
Clip互连
DTS
粗铜线键合
N+1技术储备规划（预计25-26年实现可量产）：
纳米铜烧结
Stack堆叠技术
异型Pin-fin散热
